Samsung Mobile DRAM wide I/O interface untuk Smartphone dan Tablet

Kinerja sebuah smartphone dan tablet akan semakin prima jika diimbangi dengan sarana pendukung yang memadai. Prosessor dan kapasitas memori memegang andil paling besar dalam hal ini. Mengetahui dengan pasti kapasitas memori mempengaruhi kinerja smartphone dan tablet, Samsung melakukan berbagai riset untuk mengembangkan teknologi memori. Seperti dikutip dari website koreanewswire, tanggal 20 Februari lalu Samsung Electronics Co,Ltd mengumumkan hasil pengembangan teknologi memori 1 gigabit (Gb) mobile DRAM dengan wide I/O interface, menggunakan teknologi pemrosesan kelas 50 nanometer. Modul DRAM terbaru ini nantinya akan diaplikasikan untuk Smartphone dan tablet PC.

Sebagai informasi, chip DRAM baru dengan wide I/O ini dapat mengirimkan data dengan kecepatan 12.8 gigabyte (GB) per detik. Peningkatan pesat dari mobile DDR DRAM (1,6GB/detik) delapan kali lipat. Efek positifnya lagi, chip DRAM wide I/O interface ini mengurangi konsumsi daya sekitar 87 persen. Hal ini akan membuat waktu siaga baterai Smartphone dan tablet PC akan semakin lama. Bandwith data pun meningkat meningkat menjadi sekitar 3.2GB/detik atau empat kali lipat dari DRAM LPDDR2.

Untuk meningkatkan kecepatan transmisi data, Samsung wide I/O DRAM ini menggunakan 512 pin untuk input dan output data. Jauh lebih besar jika dibandingkan dengan DRAM mobile generasi sebelumnya yang hanya menggunakan maksimum 32 pin.

Makalah yang terkait dengan teknologi wide I/O DRAM ini akan disajikan dalam International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 2011 yang akan diselenggarakan pada tanggal 20-24 Februari di San Francisco. Semoga penerapannya dalam smartphone dan tablet PC bisa cepat diaplikasikan.